Name: Infineon Technologies IRF7910PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7910PBF
Availability: InStock
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Infineon Technologies IRF7910PBF

Artikelnummer:

IRF7910PBF

Hersteller / Marke:

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

Teil der Beschreibung.:

MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC

Datenblätte:

1.IRF7910PBF.pdf ···: 2D -Zeichnungen
Pkg Type Disc 16/May/2016.pdf IR Part Numbering System.pdf Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf Alternate Assembly Site 15/Apr/2014.pdf

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RoHs Status:

ROHS3 -konform

ECAD -Modell:

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DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

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Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~Infineon Technologies IRF7910PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IRF7910PBF.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15mOhm @ 8A, 4.5V
Leistung - max	2W
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket	Tube
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1730pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 4.5V
FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	10A
Konfiguration	2 N-Channel (Dual)
Grundproduktnummer	IRF7910
IRF7910PBF Einzelheiten PDF [English]	IRF7910PBF PDF - EN.pdf

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Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
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